型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
EN6619B

General-Purpose Switching Device Applications

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SANYO

三洋

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout

IRF

RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device

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SANYO

三洋

Low Profile (0.7 mm)

文件:287.67 Kbytes Page:10 Pages

IRF

EN6619B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EN6619B

  • 制造商

    SANYO

  • 制造商全称

    Sanyo Semicon Device

  • 功能描述

    General-Purpose Switching Device Applications

更新时间:2025-9-29 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AlphaIndustries
24+
QFN
155
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2450+
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