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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF6619TRPBF | DirectFET Power MOSFET 文件：295.96 Kbytes Page：10 Pages | IRF |   | |
IRF6619TRPBF | Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：296.92 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | |
DirectFET Power MOSFET Description The IRF6619 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout | IRF | | ||
Low Profile (0.7 mm) 文件：287.67 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
RF AMPLIFIER MODEL 文件：196.47 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | | ||
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device 文件：58.7 Kbytes Page：7 Pages | SANYO 三洋 | | ||
General-Purpose Switching Device Applications 文件：445.59 Kbytes Page：7 Pages | SANYO 三洋 | |
IRF6619TRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF6619TRPBF
- 功能描述
MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
DIRECTFET |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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IR |
2016+ |
QFN |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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IR |
24+ |
DIRECTFET |
4000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IOR |
23+ |
DIRECTFET |
7594 |
原厂原装正品 |
|||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
||||
IOR |
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DIRECTFET |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
DIRECTFET |
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百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IOR |
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DIRECTFET |
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原装现货海量库存欢迎咨询 |
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IR |
18+ |
DIRECTF |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
DIRECTFET |
24000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
IRF6619TRPBF规格书下载地址
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2019-3-25
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