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IRF630S价格

参考价格：￥4.1012

型号：IRF630SPBF 品牌：VISHAY 备注：这里有IRF630S多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF630S批发/采购报价，IRF630S行情走势销售排行榜，IRF630S报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
IRF630S	N-CHANNEL200V-0.35ohm-9A-D2PAKMESHOVERLAY]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.35Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
IRF630S	PowerMOSFET PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=0.40ohm,ID=9.0A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司
IRF630S	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF630S	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF630S	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=200V ●ID=9A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
IRF630S	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRF630S	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF630S	N-channelTrenchMOStransistor 文件：923.6 Kbytes Page：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
IRF630STRLPBF	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF630SPBF	PowerMOSFET 文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF630SPBF	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.40廓,ID=9.0A) 文件：986.65 Kbytes Page：8 Pages	IRF International Rectifier
IRF630STRLPBFA	PowerMOSFET 文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF630STRR	PowerMOSFET 文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRF630STRRPBFA	PowerMOSFET 文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
630	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
630A	Fastswitching Features •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability Application •DCMotorControlandClassDAmplifier •UninterruptiblePowerSupply(UPS) •Automotive	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体
630A	Fastswitching Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
630	COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS 文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商
630	LowFrequencies 文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	OSCILENT Oscilent Corporation

IRF630S产品属性

类型
描述
型号
IRF630S
功能描述
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

IRF630S供应商更多...

更新时间：2025-7-5 15:59:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏世佳电子科技有限公司	IRF630S	IR	2025+	TO-263-2	5425	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IRF630S	IR		TO252	68500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	IRF630S	IR	21+	TO-263	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF630S	IR	24+	NA/	10115	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRF630S	IR	23+	TO263-25	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRF630S	IR	23+	TO-263	35890		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF630STRLPBF	VISHAY(威世)	24+	TO-263-3	8357	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRF630STRLPBF	IR	24+	TO-263	501311	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	IRF630S	IR	23+	TO-263	4500	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IRF630S	IR	2023+	D2-PAK	50000	原装现货	询价

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