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位置：首页 > IC中文资料第1755页 > IRF630STRR

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF630STRR

Power MOSFET

文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF630STRRPBFA

Power MOSFET

文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

630

9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso

WXDH

东海半导体

630A

Fast switching

Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive

GOFORD

谷峰半导体

630A

Fast switching

Features · Fast switching · 100 avalanche tested · Improved dv/dt capability Application · DC Motor Control and Class D Amplifier · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Automotive

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

630

Low Frequencies

文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages

OSCILENT

630

COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS

文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

IRF630STRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF630STRR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF630STRR供应商更多...

更新时间：2025-11-27 11:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
IRF630STRR
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IRF630STRR
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IRF630STRR
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