位置：首页 > IC中文资料第3981页 > IRF550A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF550A | AdvancedPowerMOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea 175°COperatingTemperature LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V LowerRDS(ON):0.032Ω(Typ.) | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
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IRF550A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF550A
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel A-FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
64610 |
正品授权货源可靠 |
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IR |
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TO220 |
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原装现货假一罚十 |
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FAIRCHILD |
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22+ |
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仙童 |
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原装 |
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