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名称:场效应管(MOSFEL) 军工工艺
型号: IRF540
品牌:XY
封装:TO-220
包装:50/管
参数: N沟道MOSFET
漏源极电压: 100V
持续漏电流: 30 A
脉冲漏电流: 120 A
栅源电压:±20 V
单脉冲雪崩能量EAS 335 mJ
单脉冲雪崩电流IAS 22 A
重复雪崩能量耳201兆焦耳
功耗(TC=25oC)PD 110 W
工作温度和储存温度范围TJ,温度-55~+150oC
可应用于:开关电源;不间断电源(UPS);功率因数校正等