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名称：场效应管（MOSFEL） 军工工艺
型号: IRF540
品牌：XY
封装：TO-220
包装：50/管
参数： N沟道MOSFET
漏源极电压： 100V
持续漏电流： 30 A
脉冲漏电流： 120 A
栅源电压：±20 V
单脉冲雪崩能量EAS 335 mJ
单脉冲雪崩电流IAS 22 A
重复雪崩能量耳201兆焦耳
功耗（TC=25oC）PD 110 W
工作温度和储存温度范围TJ，温度-55~+150oC
可应用于：开关电源；不间断电源（UPS)；功率因数校正等
