IRF540NPBF 军工工艺

发布企业：深圳市星宇佳科技有限公司时间：2021-7-29 13:46:00

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N沟道 IRF540NPBF XY TO-220 全新现货

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名称：场效应管（MOSFEL）军工工艺

型号: IRF540

品牌：XY

封装：TO-220

包装：50/管

参数： N沟道MOSFET

漏源极电压： 100V

持续漏电流： 30 A

脉冲漏电流： 120 A

栅源电压：±20 V

单脉冲雪崩能量EAS 335 mJ

单脉冲雪崩电流IAS 22 A

重复雪崩能量耳201兆焦耳

功耗（TC=25oC）PD 110 W

工作温度和储存温度范围TJ，温度-55~+150oC

可应用于：开关电源；不间断电源（UPS)；功率因数校正等

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IRF540	25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF540	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF540	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF540	N-Channel Power MOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF540	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF540	N-CHANNEL 100V - 0.055廓 - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET??II POWER MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF540	HEXFET POWER MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF540	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF540	N-channel TrenchMOS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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2025-8-15 14:03:00