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IRF5210价格

参考价格：￥6.3602

型号：IRF5210LPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF5210多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF5210批发/采购报价，IRF5210行情走势销售排行榜，IRF5210报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF5210

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi

IRF

IRF5210

P-Channel MOSFET Transistor

文件：334.13 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF5210

Advanced Process Technology

文件：738.7 Kbytes Page：8 Pages

KERSEMI

IRF5210

-100V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRF5210L

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF5210LPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. ● Advanced Proces

IRF

IRF5210PBF.

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi

IRF

IRF5210S

P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

100 EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology

EVVOSEMI

翊欧

IRF5210S

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRF5210SPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. ● Advanced Proces

IRF

IRF5210STRLPBF

P-Channel Power MOSFET

Application + DC/DC Converter Portable equipment and battery « Power Switch

TECHPUBLIC

台舟电子

IRF5210L

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：272.32 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF5210L

Advanced Process Technology

文件：738.7 Kbytes Page：8 Pages

KERSEMI

IRF5210L

-100V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装

Infineon

英飞凌

IRF5210LPBF

Advanced Process Technology

文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRF5210PBF

HEXFET Power MOSFET

文件：194.51 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF5210PBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：195.47 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRF5210S

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF5210S

-100V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

Infineon

英飞凌

IRF5210SPBF

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：318.93 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF5210SPBF

Advanced Process Technology

文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRF5210SPBF_15

Advanced Process Technology

文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRF5210STRLPBF

Advanced Process Technology

文件：316.18 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRF5210STRR

Advanced Process Technology

文件：207.79 Kbytes Page：11 Pages

IRF

AD5210

12-Bit Successive Approximation High Acquisition A/D Converter

GENERAL DESCRIPTION The AD5200 and AD5201 are programmable resistor devices, with 256 positions and 33 positions respectively, that can be digitally controlled through a 3-wire SPI serial interface. The terms programmable resistor, variable resistor (VR), and RDAC are commonly used interchangea

AD

亚德诺

5210

A-AA DUAL M/F BATTERY CONTACT

文件：205.31 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

5210

BATTERY CONTACTS FOR MOLDED CASES

文件：457.65 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

5210E

Instrument Knobs

文件：332.46 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

5210F

Panel Mounted LED Indicator Light

文件：20.05 Kbytes Page：1 Pages

CML

IRF5210产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF5210

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET P TO-220

IRF5210供应商更多...

更新时间：2025-12-26 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市勤思达科技有限公司
IRF5210S
IR
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IRF5210
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