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IRF1324S-7P价格
参考价格：￥17.8274
型号：IRF1324S-7PPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF1324S-7P多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF1324S-7P批发/采购报价，IRF1324S-7P行情走势销售排行榜，IRF1324S-7P报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFET Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Pow | IRF International Rectifier |  |   | |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Pow | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：266.26 Kbytes Page：10 Pages | IRF International Rectifier | | | |
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HEXFETPower MOSFET 文件：295.79 Kbytes Page：12 Pages | IRF International Rectifier | | | |
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IRF1324S-7P产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1324S-7P
- 功能描述
MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3305 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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IR |
25+ |
TO263-7 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
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IR |
13+11+ |
TO-263-5 |
770 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
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NA |
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
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13 |
15000 |
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INFINEON |
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D2PAK-7 |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
DdatasheetPDF页码索引
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