IRF1407PBF

时间:2022-7-22 10:36:00

IRF1407PBF

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET?

包装

管件

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

130A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

7.8 毫欧 @ 78A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

250 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5600 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

330W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IRF1407

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A??

IRF

International Rectifier

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A??

IRF

International Rectifier

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

HEXFET? Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )

IRF

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HEXFET? Power MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

HEXFET? Power MOSFET

IRF

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Advanced Process Technology

IRF

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Advanced Process Technology

IRF

International Rectifier

2025-8-9 21:24:00
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