时间：2022-7-22 10:36:00
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET?
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 78A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
250 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRF1407
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A?? | IRF International Rectifier |   | ||
N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | | ||
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A?? | IRF International Rectifier | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
HEXFET? Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A ) | IRF International Rectifier | | ||
HEXFET? Power MOSFET | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
HEXFET? Power MOSFET | IRF International Rectifier | | ||
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | | ||
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IR | 13+ | TO-220/TO-263 | 10000 | 深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF1407,欢迎咨询洽谈。 |
