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IRF1310NSPBF价格
参考价格：￥4.0719
型号：IRF1310NSPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRF1310NSPBF多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRF1310NSPBF批发/采购报价，IRF1310NSPBF行情走势销售排行榜，IRF1310NSPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF1310NSPBF | HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF |   | |
IRF1310NSPBF | ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：726.76 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：726.76 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | ||
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 4.5 A - 5.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 4.5 A - 5.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | VMI | | ||
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge [VOLTAGE MULTIPLIERS INC.] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 4.5 A - 5.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Speaker Cable, 4 C #14 Str BC-OFHC, PVC Jkt, CM, DIR BUR, Flexible Product Description Speaker Cable, 4 Conductor 14 AWG (105 x 34) Oxygen-Free Bare Copper (High Conductivity), PE Insulation, PVC Jacket, CM, Direct Burial, Flexible | BELDEN 百通 | | ||
Customer Specification Construction Diameters (In) 1) Component 1 16 X 1 PAIR a) Conductor 22 (SOLID) AWG Tinned Copper 0.025 b) Insulation 0.010 Wall, Nom. PVC, Semi Rigid 0.045 (1) Color Code Alpha Wire Color Code A Pair Color Pair Color Pair Color 1 BLACK-RED 7 BLACKORANGE 13 RED-ORANGE 2 BLACK-WHITE 8 RED- | ALPHAWIRE | | ||
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge [VOLTAGE MULTIPLIERS INC.] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 4.5 A - 5.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
IRF1310NSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF1310NSPBF
- 功能描述
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ir |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
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INFINEON/英飞凌 |
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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D2-PAK |
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
IRF1310NSPBF规格书下载地址
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深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
DdatasheetPDF页码索引
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