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IR2109价格

参考价格：￥9.5322

型号：IR21091PBF 品牌：International 备注：这里有IR2109多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2109批发/采购报价，IR2109行情走势销售排行榜，IR2109报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR2109

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2109(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

IR2109

600 V 半桥栅极驱动器IC, 具有关断功能

600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装可选。\n   • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 高边输出与 IN 输入同相\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 内部死区时间为 540ns\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 关断输入将关闭两个通道\n\n优势:;

INFINEON

英飞凌

IR2109

封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装：散装 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路（IC） 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

IR2109

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages

IRF

IR2109

Gate drive supply range from 10 to 20V

文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages

IRF

IR2109

Gate drive supply range from 10 to 20V

文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages

IRF

IR2109

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：357.8 Kbytes Page：25 Pages

INFINEON

英飞凌

IR21091

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR21091(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependant high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LST

IRF

IR21091PBF

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR21091(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependant high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LST

IRF

IR21091S

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR21091(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependant high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LST

IRF

IR21091S

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown and programmable deadtime

600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage\n• dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible\n• Cross-conduction prevent;

INFINEON

英飞凌

IR21091SPBF

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR21091(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependant high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LST

IRF

IR21094

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2109(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

IR21094

600 V 半桥栅极驱动器 IC，具有关断和可编程死区时间

600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 14 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 SOIC、8 引脚 SOIC 和 8 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 高边输出与 IN 输入同相\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 内部死区时间为 540ns ，使用一个外部 RDT 电阻可编程一个数值高达 5μs 的死区时间\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 关断输入将关闭两个通道\n\n优势:;

INFINEON

英飞凌

IR21094S

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2109(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

IR2109S

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2109(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

IR2109_15

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages

IRF

IR21091

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：114.06 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IR21091

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：116.19 Kbytes Page：8 Pages

INFINEON

英飞凌

IR21091_15

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：114.06 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IR21091S

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：116.19 Kbytes Page：8 Pages

INFINEON

英飞凌

IR21091SPBF

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：散装 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

IR21094

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：357.8 Kbytes Page：25 Pages

INFINEON

英飞凌

IR21094PBF

IR2109(4) (S) & (PbF) HALF-BRIDGE DRIVER

文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages

IRF

IR21094S

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：357.8 Kbytes Page：25 Pages

INFINEON

英飞凌

IR21094SPBF

Gate drive supply range from 10 to 20V

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IRF

IR2109PBF

Gate drive supply range from 10 to 20V

文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages

IRF

IR2109S

HALF-BRIDGE DRIVER

文件：357.8 Kbytes Page：25 Pages

INFINEON

英飞凌

IR2109STRPBF

IR2109(4) (S) & (PBF) HALF-BRIDGE DRIVER

文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages

IRF

ADSP-2109

Low Cost DSP Microcomputers

GENERAL DESCRIPTION The ADSP-2104 and ADSP-2109 processors are single-chip microcomputers optimized for digital signal processing (DSP) and other high speed numeric processing applications. The ADSP-2104/ADSP-2109 processors are built upon a common core. Each processor combines the core DSP archi

AD

亚德诺

KSR2109

PNP (SWITCHING APPLICATION)

SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit • Built in bias Resistor (R=4.7KΩ) • Complement to KSR1109

SAMSUNG

三星

KSV2109

GLASS - LEADED GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES

P/N CAPACITANCE KSV2101 6.8 KSV2102 8.2 KSV2103 10.0 KSV2104 12.0 KSV2105 15.0 KSV2106 18.0 KSV2107 22.0 KSV2108 27.0 KSV2109 33.0 KSV2110 39.0 KSV2111 47.0 KSV2112 56.0 KSV2113 68.0 KSV2114 82.0 KSV2115 100.0

KNOX

MV2109

Silicon Tuning Diode

These devices are designed in the popular PLASTIC PACKAGE for high volumerequirements of FM Radio and TV tuning and AFC, general frequency control andtuning applications.They provide solid–state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Also available in Surface Mount Package up to

LRC

乐山无线电

TA2109F

RF AMPLIFIER FOR DIGITAL SERVO CD SYSTEM

TA2109F is a 3-beam type PUH compatible RF Amplifier for Digital Servo to be used in the CD system. In combination with a CMOS single chip processor TC9432AF/TC9462F a CD system can be composed very simply. Features Built in amplifier for reference (VREF, 2 VREF) supply. Built in Au

TOSHIBA

东芝

IR2109产品属性

  • 类型

    描述

  • Product Status：

    active

  • Voltage Class：

    600 V

  • Output Current Source min：

    0.12 A

  • Output Current Source：

    0.2 A

  • Output Current Sink min：

    0.25 A

  • Output Current Sink：

    0.35 A

  • Channels：

    2

  • Configuration：

    Half Bridge

  • Qualification：

    Industrial

  • Isolation Type：

    Functional levelshift

  • Switch Type：

    IGBT/MOSFET

  • Package name：

    PDIP8

  • UVLO Input Off：

    8.2 V

  • UVLO Output Off：

    8.2 V

  • Turn On Propagation Delay max：

    950 ns

  • Turn On Propagation Delay：

    750 ns

  • Turn Off Propagation Delay max：

    280 ns

  • Turn Off Propagation Delay：

    200 ns

  • Input Vcc min：

    10 V

  • Input Vcc max：

    20 V

  • Output Vbs min：

    10 V

  • Output Vbs max：

    20 V

  • Rise Time max：

    220 ns

  • Rise Time：

    150 ns

  • Fall Time max：

    80 ns

  • Fall Time：

    50 ns

  • UVLO Input On：

    8.9 V

  • UVLO Output On：

    8.9 V

IR2109供应商更多...

更新时间：2026-8-1 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IR21094STRPBF
Infineon(英飞凌)
25+
SOIC-14
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
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深圳市科恒伟业电子有限公司
IR21094STRPBF
IR
2430+
SOP
8540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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深圳市星宇佳科技有限公司
IR21094STR驱动IC
105
14
IR
320
92
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深圳市拓亿芯电子有限公司
IR21094STRPBF
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SOP-14
12000
只做原装正品
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深圳市赛尔通科技有限公司
IR2109S
IR
23+
SOP-8
65400
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深圳市富利微电子科技有限公司
IR2109STRPBF
IR
26+
SOP-8
20540
保证进口原装现货假一赔十
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
IR21094STRPBF
Infineon(英飞凌)
25+
SOIC-14
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
询价
深圳市华来深电子有限公司
IR2109SPBF
INFINEON
23+
SOP8
12565
进口原装现货特价销售,假一罚十
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
IR21094STRPBF
IR
21+
SO-14
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只做原装,质量保证
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深圳市坤融电子科技有限公司
IR2109S
IR
2025+
SMD
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    2026-5-26

  • IR2110STRPBF

    IR2110STRPBF

    2023-4-14

  • IR2104STRPBF

    IR2104STRPBF

    2021-8-9

  • IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    2020-11-9

  • IR2110

    IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25

  • IR2103-半桥驱动器

    说明 在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定

    2013-2-9

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