IR21094PBF价格

参考价格:¥7.4167

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR21094PBF

IR2109(4) (S) & (PbF) HALF-BRIDGE DRIVER

文件:355.91 Kbytes Page:25 Pages

IRF

IR21094PBF

封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2109(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

HALF-BRIDGE DRIVER

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Infineon

英飞凌

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2109(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

IRF

HALF-BRIDGE DRIVER

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Infineon

英飞凌

IR21094PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR21094PBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
3429
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
09+
DIP-14
200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon/英飞凌
24+
PDIP14
25000
原装正品,假一赔十!
Infine
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
INFINEON/英飞凌
2021+
22500
十年专营原装现货,假一赔十
Infineon/英飞凌
23+
PDIP14
25630
原装正品
IR
21+
DIP14
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
IOR
23+
DIP14
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
IOR
25+23+
DIP14
25912
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
2016+
DIP
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

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    IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    2020-11-9
  • IR2110

    IR2110,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    IR2111,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定

    2013-2-9