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芯片资料

参考价格：￥4.9132

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IR21094	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2109(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor	IRF International Rectifier
IR21094	HALF-BRIDGEDRIVER 文件：357.8 Kbytes Page：25 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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IR21094PBF	IR2109(4)(S)&(PbF)HALF-BRIDGEDRIVER 文件：355.91 Kbytes Page：25 Pages	IRF International Rectifier
IR21094S	HALF-BRIDGEDRIVER 文件：357.8 Kbytes Page：25 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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更新时间：2025-5-21 23:00:00

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IR2110STRPBF
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2023-4-14
IR2104STRPBF
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2021-8-9
IR2104STRPBF 原装代理现货可追溯原厂含税出
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2020-11-9
IR2110
IR2110，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-25
IR2111
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2019-8-21
IR2103-半桥驱动器
说明在IR2103（S）的高电压，高速动力供养高，MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定
2013-2-9