IR2109PBF价格

参考价格:¥9.5322

型号:IR2109PBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IR2109PBF多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2109PBF批发/采购报价,IR2109PBF行情走势销售排行榜,IR2109PBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR2109PBF

Gatedrivesupplyrangefrom10to20V

文件:355.91 Kbytes Page:25 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IR2109PBF

封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

Fieldbus,1Pr#16StrTC,XLPOIns,OS,TPEJkt,CMG

文件:255.54 Kbytes Page:3 Pages

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

HighCurrentToroidInductors

文件:117.11 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

HighCurrentToroidInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

HighCurrentToroidInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

HighCurrentToroidInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

IR2109PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2109PBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-15 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
PDIP8
6000
原装现货正品
IR
2016+
DIP8
4762
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
IR
2020+
DIP
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
21+
65230
IR
22+
DIP8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
23+
NA/
15
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR
24+
DIP-8
990000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
23+
DIP8
20000
原厂原装正品现货
INFINEON/英飞凌
22+
DIP-8
4800
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品
Infineon(英飞凌)
23+
PDIP8
6000
诚信服务,绝对原装原盘

IR2109PBF芯片相关品牌

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    2023-4-14
  • IR2104STRPBF

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    2021-8-9
  • IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    IR2104STRPBF原装代理现货可追溯原厂含税出

    2020-11-9
  • IR2110

    IR2110,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25
  • IR2111

    IR2111,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-21
  • IR2103-半桥驱动器

    说明在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠压锁定

    2013-2-9