IR2109STRPBF价格

参考价格:¥6.2903

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR2109STRPBF

IR2109(4) (S) & (PBF) HALF-BRIDGE DRIVER

文件:355.91 Kbytes Page:25 Pages

IRF

IR2109STRPBF

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset

Product Description Fast Ethernet Cat5e Data Double-Ended Cordset: Male straight D-coded black M12 Standard to male straight RJ45-coded black RJ45 Field Attachable, shielded, 30 V AC / 42 V DC, 1.5 A; TPE green cable, 4-wires, 0.38 mm²

BELDEN

百通

Snub Bushings

文件:137.51 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

Throttle valve

文件:96.21 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

Fieldbus, 1 Pr #16 Str TC, XLPO Ins, OS, TPE Jkt, CMG

文件:255.54 Kbytes Page:3 Pages

BELDEN

百通

High Current Toroid Inductors

文件:117.11 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

IR2109STRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2109STRPBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
SOP-8
12048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
IR
24+
SOP-8
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IR/国际整流器
23+
SOIC-8
12700
买原装认准中赛美
INFINEON
SOP-8
50000
IR
25+
SOP8
54658
百分百原装现货 实单必成
INFINEON
100000
代理渠道/只做原装/可含税
INFINEON/英飞凌
24+
SOP-8
159842
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
25+
SOP8
12496
IR原装正品IR2109STRPBF即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON
24+
SOP-8
8000
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!
Infineon Technologies
22+
8SOIC
9000
原厂渠道,现货配单

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    2021-8-9
  • IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    IR2104STRPBF 原装代理现货 可追溯原厂含税出

    2020-11-9
  • IR2110

    IR2110,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-25
  • IR2111

    IR2111,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-8-21
  • IR2103-半桥驱动器

    说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定

    2013-2-9