型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG20N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has

Intersil

General purpose inverters

文件:820.86 Kbytes Page:9 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

文件:769.26 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

1200V, 20A Trench IGBT

文件:721.12 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

1200V, 20A Trench IGBT

文件:721.12 Kbytes Page:9 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-27 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
2100
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
门市
25+
91
60
原装正品,假一罚十!
IR
24+
TO 247
160969
明嘉莱只做原装正品现货
VISHAY原装
25+23+
TO-247
24543
绝对原装正品全新进口深圳现货
N/A
23+
TO247
28888
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
HARRIS
24+
TO-3P
76
FAIRCHILD
25+
DIP-40
18000
原厂直接发货进口原装
SANYO
0214+
TO-252
354
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
SANYO
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保障
23+
TO-3P
65480

IPW20N120数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14