IPS1025HFQ 是采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构，采用 QFN48L (8 mm x 6 mm) 封装。这些 IC 是单个高压侧开关器件，可以驱动一侧接地的容性、阻性或感性负载（高压侧开关）。推荐工作电压在 8.65 V 至 60 V 范围内，但电源引脚上的击穿电压可达到 65 V。
输出级是一个 N 沟道 PowerMOSFET，具有环境温度下 12 mΩ 的典型 RDS(ON)，内部限制 2.5 A 最小输出电流。这款 IC 能够设置两种不同的限流水平（ILIMH-X 和 ILIML-X），用于智能驱动负载，例如灯泡和具有初始峰值电流要求的容性负载。
采用嵌入式保护，具有两对限流阈值和电平（IPKH、每一 DPK 时间的 ILIMH、IPKL、ILIML），还具有集成诊断功能，可实现带负载（具有初始峰值电流要求）的功能强大机器。
IPS1025HFQ 的电源开/关延迟时间低于 60 μs，适用于接口 Type C（或 D）Class 3的 SIL（安全完整性等级）应用要求。用于 STM32 Nucleo 的 STEVAL-IFP040V1 工业数字输出扩展板为评估 IPS1025HFQ（单高压侧智能功率固态继电器）的驱动和诊断能力提供了强大而灵活的环境，IPS1025HFQ 位于连接到 2.5 A（最大值）工业负载的数字模块中。
IPS1025HFQ 是单片单器件，可以驱动一侧接地的容性、阻性或感性负载；该 IC 专门设计用于在 PLC 模块中以极低的功耗驱动重负载，或在自动售货机应用中驱动单向电机。
特性
8.65 V 至 60 V 工作电压范围
RDS(ON) 12 mΩ（典型值，+25°C 时）
容性负载的智能驱动
可编程电流限制值：2.5 A（最大值）
启动时的传播延迟时间短 (<60 μs)，满足接口 Type C（或 D）的 SIL（安全完整性等级）应用要求
感性负载快速消磁
过载和超温保护
外壳超温保护
接地断线保护
VCC 断线保护
过载或超温事件的故障信号
欠压锁定
设计符合 IEC（国际电工委员会）61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5 标准
封装 QFN48L (8 mm x 6 mm)
