FGA20N120FTDTU价格

参考价格:¥14.0436

型号:FGA20N120FTDTU 品牌:Fairchild 备注:这里有FGA20N120FTDTU多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGA20N120FTDTU批发/采购报价,FGA20N120FTDTU行情走势销售排行榜,FGA20N120FTDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FGA20N120FTDTU

1200V, 20A Trench IGBT

文件:721.12 Kbytes Page:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FGA20N120FTDTU

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

1200V, 20A Trench IGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG20N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has

Intersil

General purpose inverters

文件:820.86 Kbytes Page:9 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

文件:769.26 Kbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

FGA20N120FTDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGA20N120FTDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V N-Chan Trench

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 14:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
25
6000
原装正品
ONSEMI/安森美
24+
TO3P
60000
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-3P
54000
郑重承诺只做原装进口现货
ON/安森美
24+
TO-3P
10000
十年沉淀唯有原装
ON/安森美
24+
TO-3P
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
FAIRCHILD/仙童
23+
TO3PN
43000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
三年内
1983
只做原装正品
24+
N/A
73000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ON(安森美)
2447
TO-3P
105000
450个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
FAI
24+
300

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