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FGA20N120FTDTU价格
参考价格：￥14.0436
型号：FGA20N120FTDTU 品牌：Fairchild 备注：这里有FGA20N120FTDTU多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FGA20N120FTDTU批发/采购报价，FGA20N120FTDTU行情走势销售排行榜，FGA20N120FTDTU报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FGA20N120FTDTU | 1200V, 20A Trench IGBT 文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | |
FGA20N120FTDTU | 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 40A 298W TO3PN 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
1200V, 20A Trench IGBT 文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode 63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG20N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has | INTERSIL | | ||
General purpose inverters 文件：820.86 Kbytes Page：9 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | | ||
Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package 文件：769.26 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | |
FGA20N120FTDTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FGA20N120FTDTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V N-Chan Trench
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
NA |
8888 |
原装现货支持BOM配单服务 |
||||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO-3P |
36882 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ON/安森美 |
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只做原装,质量保证 |
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FAI |
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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TO-3P |
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ON/安森美 |
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GBT-TO-3PN |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FAIRCHI |
18+ |
TO-3P |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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2023-3-24FGA60N65SMD原装正品 假一赔十
焕盛达竭诚为广大客户提供一站式配套服务，解决您的BOM表采购之痛，让您采购无忧！
2021-1-14FGA60N65SMD
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2020-6-29
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