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20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

文件:95.42 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-12-27 21:45:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • IPP60R190C6XKSA1 全新原装正品 现货

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    2022-7-21
  • IPP60R600C6原装INFINEON正品现货

    IPP60R600C6 原装INFINEON深圳市百诺芯科技有限公司正品现货价格优势

    2019-9-12
  • IPM6220-先进的三对偶便携式PWM和线性电源控制器

    描述 该IPM6220提供了一个高度集成的功率控制和五个输出电压保护解决方案提供所需的高性能笔记本电脑的应用程序。该IC集成三个固定频率脉宽调制(PWM)控制器和两个沿监测和线性稳压器保护电路到一个24引脚SSOP封装。两个PWM控制器,调节系统的主要5V的和3.3V电压实施synchronousrectified降压转换器。同步整流和在轻负载时滞后有助于高效率的运作在输入电压和负载变化范围广。效率得到进一步增强,使用较低的MOSFET的的RDS(ON)作为电流检测元件。输入电压前馈坡道调制,电流模式控制,内部反馈补偿提供快速,稳定的处理负载瞬态输入电压中遇到的先进便携式计算

    2013-2-19
  • IPM6210CA-模拟集成电路

    精密双PWM控制器和线性稳压器,用于笔记本的CPU 该IPM6210是一个高度集成的电源控制器,提供完整的电源管理解决方案为移动的CPU。该IC集成了两个PWM控制器和一个线性稳压器以及监测和保护电路成单28引线塑料SSOP封装。两个PWM控制器调节微处理器核心和I / O同步整流降压转​​换器的电压,而线性稳压器列强的CPU时钟。该IPM6210包括5位数字至模拟转换器(发援会),调整为核心的PWM输出电压0.925VDC至2.0VDC,符合英特尔移动的VID规范。该DAC的设置过程中可能会更改操作,以适应双模式处理器。特别采取措施提供了这样的转型

    2013-2-19