IPP65R110CFDA是Infineon Technologies推出的一款N-沟道增强模式功率MOSFET。以下是该产品的主要特点和功能：
1. 高功率密度：IPP65R110CFDA采用了封装技术和先进的功率MOSFET设计，具有较高的功率密度，适用于高功率应用。
2. 低导通电阻：该功率MOSFET具有低导通电阻，可以提供较低的导通损耗，从而提高系统效率。
3. 高开关速度：IPP65R110CFDA具有快速的开关速度，可以实现快速的开关操作，适用于高频应用。
4. 高温特性：该功率MOSFET具有较高的温度特性，可以在高温环境下稳定工作。
5. 低输入和输出电容：IPP65R110CFDA具有低输入和输出电容，可以降低开关损耗和提高系统响应速度。
6. 低漏电流：该功率MOSFET具有低漏电流特性，可以减少系统的静态功耗。
7. 高可靠性：IPP65R110CFDA具有高可靠性，适用于长时间运行和严苛的工作环境。
8. 应用领域：该功率MOSFET广泛应用于工业控制、电源管理、电动汽车、太阳能逆变器和电源转换等领域，用于实现高效的功率控制和转换功能。
技术参数
极性N-CH
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)31.2A
上升时间11 ns
输入电容(Ciss)3240pF @100V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)277800 mW
封装参数
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
外形尺寸
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
封装TO-220-3
其他
产品生命周期Active
包装方式Tube
制造应用Unidirectional and_bidirectional DC-DC converter, Battery charger, HID lighting
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
含铅标准Lead Free
