制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPP023N08N5AKSA1
描述
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
详细描述
通孔 N 通道 80 V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 208µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
166 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12100 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP023
