IPP60R190C6XKSA1
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 630μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R190
BSC009NE2LS(SP000893362)
TPS61087QDRCRQ1
STM32F070CBT6TR
TPHR6503PL
TPH1R306PL,L1Q(M）
SI8233BD-D-ISR 20+
ICE2PCS01G(SP000717682)
2EDN7524F(SP001339264)
