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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
20N60

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60

FastSwitching

文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
20N60

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
20N60A4D

SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode600V

TheHGTG20N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitching devicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolar transistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFET andthelowon−stateconductionlossofabipolartransistor.Themuch loweron−statevoltagedropvariesonlymode

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
20N60B

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
20N60BD1

HiPerFASTIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •Internationalstandardpackages •HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Unin

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
20N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
20N60C3

45A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
20N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
20N60G-T3P-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60G-T47-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T3P-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T47-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60S1

N-ChannelenhancementmodepowerMOSFET

Features Lowon-stateresistance Lowswitchingloss easytouse(morecontrollabeswitchingdV/dtbyRg) Applications UPS Server Telecom Powerconditionersystem Powersupply

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji
20N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
20N60_15

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60A

20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
20N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTs

文件：908.79 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
20N60CFD

HITACHIEncapsulation,DIP16

文件：50.2 Kbytes Page：1 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi
20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
20N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated

文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
20N60G-T3P-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60G-T47-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T3P-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T47-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

20N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    20N60

  • 制造商

    UTC-IC

  • 制造商全称

    UTC-IC

  • 功能描述

    20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

20N60供应商更多...

更新时间：2025-6-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
20N60S5
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
9048
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
20N60
RSUN
24+
NA/
8787
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市凌旭科技有限公司
20N60CFD
INFINEON
2010+
TO-247
3000
询价
上海意淼电子科技有限公司
20N60C3
23+
TO220/
20000
全新原装假一赔十
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
20N60C3
INFINEO
24+
TO-247
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市振宏微科技有限公司
20N60
TO-251
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
20N60C3
INFINEON丨英飞凌
20+
TO-220F
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
20N60B3
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-262
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
20N60C3
INFINEON/英飞凌
25+
TO263
54815
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
20N60C3
INFINEON/英飞凌
24+
TO 220
160325
明嘉莱只做原装正品现货
询价

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