您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 芯片资料
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第5538页 > 20N60

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
20N60

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60

FastSwitching

文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
20N60

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
20N60A4D

SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode600V

TheHGTG20N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitching devicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolar transistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFET andthelowon−stateconductionlossofabipolartransistor.Themuch loweron−statevoltagedropvariesonlymode

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
20N60B

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
20N60BD1

HiPerFASTIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •Internationalstandardpackages •HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Unin

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
20N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60C3

45A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
20N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60G-T3P-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60G-T47-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T3P-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T47-T

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60S1

N-ChannelenhancementmodepowerMOSFET

Features Lowon-stateresistance Lowswitchingloss easytouse(morecontrollabeswitchingdV/dtbyRg) Applications UPS Server Telecom Powerconditionersystem Powersupply

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
20N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60_15

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60A

20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
20N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTs

文件：908.79 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
20N60CFD

HITACHIEncapsulation,DIP16

文件：50.2 Kbytes Page：1 Pages

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi
20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated

文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60G-T3P-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60G-T47-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T3P-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60L-T47-T

N-CHANNELMOSFETFORHIGHSPEEDSWITCHING

文件：207.55 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

20N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    20N60

  • 制造商

    UTC-IC

  • 制造商全称

    UTC-IC

  • 功能描述

    20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

20N60供应商更多...

更新时间：2024-4-28 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
20N60CFD
INFINEON
2010+
TO-247
3000
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
20N60
VBsemi
2020+
TO252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市环球伟业电子有限公司
20N60
Fuji/FUJI CORPORATION/株式会社
21+
TO220F
32083
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市威雅利发展有限公司
20N60
FUJI
16+
TO220F
26514
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
20N60C3
INFINEON/英飞凌
24+
TO 220
160325
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市勤思达科技有限公司
20N60
FIRST进口
1215+
TO-220F
150000
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.
询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司
20N60
22+
3000
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
20N60
REASUNOS
1948+
TO-3P
18562
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
深圳市博浩通科技有限公司
20N60
INFINEON
23+
TO220
9980
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询
询价
深圳兆威电子有限公司
20N60
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
90000
优势库存全新原装现货
询价

20N60芯片相关品牌

  • 3M
  • AVX
  • GSI
  • MA-COM
  • MARL
  • MORNSUN
  • PAIRUI
  • PCA
  • PF
  • RENESAS
  • TTELEC
  • XFMRS

20N60规格书下载地址

20N60参数引脚图相关

20N60数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2024 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示