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IPP075N15N价格
参考价格：￥20.7361
型号：IPP075N15N3G 品牌：INF 备注：这里有IPP075N15N多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPP075N15N批发/采购报价，IPP075N15N行情走势销售排行榜，IPP075N15N报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 |   | ||
3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS 3 Power-Transistor 文件：744.53 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS 3 Power-Transistor 文件：744.53 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =130A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7.5 mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D | ISC 无锡固电 | | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.92 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：311.35 Kbytes Page：10 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 130A, 7.5m廓 文件：315.51 Kbytes Page：10 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
IPP075N15N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPP075N15N
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 100A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25650 |
新到现货,只做原装进口 |
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INFINEON |
24+ |
Tube |
75000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220-3 |
9948 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-220 |
2146 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO220-3 |
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INFINEON/英飞凌全新特价IPP075N15N3G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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Infineon(英飞凌) |
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TO-220-3 |
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INFINEON |
21+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装公司现货
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INFINEON |
22+ |
sot |
6600 |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
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INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-220 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
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2500 |
25+ |
Infineon |
2113 |
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展 |
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2019-9-12IPM6220-先进的三对偶便携式PWM和线性电源控制器
描述 该IPM6220提供了一个高度集成的功率控制和五个输出电压保护解决方案提供所需的高性能笔记本电脑的应用程序。该IC集成三个固定频率脉宽调制（PWM）控制器和两个沿监测和线性稳压器保护电路到一个24引脚SSOP封装。两个PWM控制器，调节系统的主要5V的和3.3V电压实施synchronousrectified降压转换器。同步整流和在轻负载时滞后有助于高效率的运作在输入电压和负载变化范围广。效率得到进一步增强，使用较低的MOSFET的的RDS（ON）作为电流检测元件。输入电压前馈坡道调制，电流模式控制，内部反馈补偿提供快速，稳定的处理负载瞬态输入电压中遇到的先进便携式计算
2013-2-19IPM6210CA-模拟集成电路
精密双PWM控制器和线性稳压器，用于笔记本的CPU 该IPM6210是一个高度集成的电源控制器，提供完整的电源管理解决方案为移动的CPU。该IC集成了两个PWM控制器和一个线性稳压器以及监测和保护电路成单28引线塑料SSOP封装。两个PWM控制器调节微处理器核心和I / O同步整流降压转换器的电压，而线性稳压器列强的CPU时钟。该IPM6210包括5位数字至模拟转换器（发援会），调整为核心的PWM输出电压0.925VDC至2.0VDC，符合英特尔移动的VID规范。该DAC的设置过程中可能会更改操作，以适应双模式处理器。特别采取措施提供了这样的转型
2013-2-19
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