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位置：首页 > IC中文资料第1809页 > FDB075N15A

FDB075N15A价格

参考价格：￥13.6980

型号：FDB075N15A 品牌：Fairchild Semiconductor 备注：这里有FDB075N15A多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDB075N15A批发/采购报价，FDB075N15A行情走势销售排行榜，FDB075N15A报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDB075N15A

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：339.92 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

FDB075N15A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：311.35 Kbytes Page：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB075N15A

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，130A，7.5mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDB075N15A-F085

Channel Power Trench® MOSFET150V 110A, 7.5mΩ

Features -Typ rDS(on) = 5.5mΩ at VGS = 10V, ID = 80A -Typ Qg(tot) = 80nC at VGS = 10V, ID = 80A -UIS Capability -RoHS Compliant -Qualified to AEC Q101 Applications - Automotive Engine Control - Powertrain Management - Solenoid and Motor Drivers - Integrated Starter/alternator - Primar

ONSEMI

安森美半导体

FDB075N15A_F085

N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V，110A，5.5mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDB075N15A_F085

N-Channel Power Trench짰 MOSFET

文件：368.29 Kbytes Page：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDP075N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =130A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7.5 mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

FDP075N15A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 130A, 7.5m廓

文件：315.51 Kbytes Page：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB075N15A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB075N15A

  • 功能描述

    MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

FDB075N15A供应商更多...

更新时间：2025-11-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
FDB075N15A-F085C
ON/安森美
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