IPD30N03S2L价格

参考价格:¥1.8410

型号:IPD30N03S2L-07 品牌:Infineon 备注:这里有IPD30N03S2L多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPD30N03S2L批发/采购报价,IPD30N03S2L行情走势销售排行榜,IPD30N03S2L报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD30N03S2L

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

OptiMOS Power-Transistor

文件:157.46 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

20V-650V汽车级MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:157.54 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.89539 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

30V、N 沟道、最大 10 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™

Infineon

英飞凌

30 V、N 沟道、最大 20 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

文件:157.77 Kbytes Page:8 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Superior thermal resistance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤10mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IPD30N03S2L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD30N03S2L

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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