IPD30N03S2L-10价格

参考价格:¥1.6445

型号:IPD30N03S2L-10 品牌:Infineon 备注:这里有IPD30N03S2L-10多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPD30N03S2L-10批发/采购报价,IPD30N03S2L-10行情走势销售排行榜,IPD30N03S2L-10报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD30N03S2L-10

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD30N03S2L-10

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.89539 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IPD30N03S2L-10

30V、N 沟道、最大 10 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Low On-Resistance RDS(on) • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant

Infineon

英飞凌

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode

文件:637.45 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD30N03S2L-10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD30N03S2L-10

  • 功能描述

    MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 10mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINEON
2021+
a1b2c3
3000
只做原装,可提供样品
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
6350
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINE0N
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
INFINEON/英飞凌
20+
TO-252
6350
终端可免费提供样品,欢迎咨询
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
12048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO252-3
9600
原装现货,欢迎询价

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