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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD30N03S2L-20 | OptiMOS Power-Transistor 文件：157.77 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPD30N03S2L-20 | 30 V、N 沟道、最大 20 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ | Infineon 英飞凌 | | |
OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | |
IPD30N03S2L-20产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD30N03S2L-20
- 功能描述
MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 20mOhms
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO252 |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3500 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
INFINEO |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
35580 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPD30N03S2L-20即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
INFINEON |
17+ |
TO-252 |
356 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO252 |
8000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
|||
INFINEON |
2022+ |
a1b2c3 |
5000 |
只做原装，可提供样品 |
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瀚佳科技(深圳）有限公司： 专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。
2018-12-30
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