IPD25N06S4L-30中文产品资料功能描述

时间:2022-5-31 13:07:00

IPD25N06S4L-30中文产品资料

产品属性 属性值

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 25 A

Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1。2 V

Qg-栅极电荷: 16。3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 29 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 2 ns

高度: 2。3 mm

长度: 6。5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 1 ns

系列: OptiMOS-T2

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 15 ns

典型接通延迟时间: 6 ns

宽度: 6。22 mm

零件号别名: IPD25N6S4L3XT SP000481508 IPD25N06S4L30ATMA1

单位重量: 330 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOS?-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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2025-8-16 23:01:00
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