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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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OptiMOS 2 Power-Transistor 文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 |   | ||
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS®2 Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：280.58 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS Buck converter series Feature ● N-Channel ● Logic Level ● Low On-Resistance RDS(on) ● Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) ● Superior thermal resistance ● 175°C operating temperature ● Avalanche rated ● dv/dt rated ● Ideal for fast switching buck converter | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.36 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
OptiMOS 2 Power-Transistor 文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | |
IPB14N03产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB14N03
- 功能描述
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFIEON |
25+ |
TO-23 |
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绝对全新原装现货供应! |
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TO-263 |
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23+ |
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INFINEON |
24+ |
TO-263 |
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INFINEON |
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一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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Infineon |
TO-263 |
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IPB14N03规格书下载地址
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2024-11-26IPB120P04P4-04
全新原装现货 支持第三方机构验证
2022-12-7IPB120P04P4L-03
https://hfx03.114ic.com/
2022-6-9IPB120N04S4-02 只做原装
进口原装现货 假一罚十 特价出售
2022-4-25IPB180P04P4L-02 原装正品 MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
支持实单 价格优势 有单必成
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2022-2-13
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