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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPI14N03LA | OptiMOS2Power-Transistor 文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  |   |
OptiMOSBuckconverterseries Feature ●N-Channel ●LogicLevel ●LowOn-ResistanceRDS(on) ●ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ●Superiorthermalresistance ●175°Coperatingtemperature ●Avalancherated ●dv/dtrated ●Idealforfastswitchingbuckconverter | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：960.36 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
OptiMOS2Power-Transistor 文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
OptiMOS짰2Power-Transistor 文件：280.58 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
IPI14N03LA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPI14N03LA
- 功能描述
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-262 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-262 |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
23+ |
D-pak |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
INFINEON |
23+ |
TO262-3 |
7000 |
||||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
I2PAK |
92306 |
||||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO262-3 |
32322 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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2018-12-30
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