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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB14N03LA | OptiMOS2Power-Transistor 文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  |   |
OptiMOS짰2Power-Transistor 文件：280.58 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
OptiMOSBuckconverterseries Feature ●N-Channel ●LogicLevel ●LowOn-ResistanceRDS(on) ●ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ●Superiorthermalresistance ●175°Coperatingtemperature ●Avalancherated ●dv/dtrated ●Idealforfastswitchingbuckconverter | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：960.36 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
OptiMOS2Power-Transistor 文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
IPB14N03LA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB14N03LA
- 功能描述
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
6090 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEO |
24+ |
TO/263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
INFINEON |
0303+ |
TO/263 |
700 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
25+23+ |
TO263 |
22450 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
1942+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOT-263 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
36800 |
||||
INFINEON |
22+ |
TO-263 |
30750 |
原装正品现货 |
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IPB14N03LA规格书下载地址
IPB14N03LA参数引脚图相关
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IPB200N25N3G
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2022-6-9IPB120N04S4-02 只做原装
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2022-2-13
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