IPB081N06L3价格

参考价格:¥3.1197

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPB081N06L3

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:300.42 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMosTM3 Power-Transistor

文件:700.13 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? Power-Transistor

文件:433.55 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

IPB081N06L3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB081N06L3

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-4 10:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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标准封装
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