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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB019N08N3 | OptiMOS3 Power-transistor
| Infineon 英飞凌 |   | |
OptiMOS3 Power-transistor
| Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-transistor
| Infineon 英飞凌 | | ||
N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | |
IPB019N08N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB019N08N3
- 功能描述
MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-23 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
INFINEON |
25+23+ |
TO-263-7 |
29509 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-7 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-7 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-TO263-7 |
105000 |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
ADI |
23+ |
PG-TO263-7-3 |
7000 |
IPB019N08N3规格书下载地址
IPB019N08N3参数引脚图相关
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- ir2110
- ips面板
- IPM模块
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- IPB023N04NG
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- IP8156H
IPB019N08N3数据表相关新闻
IPB015N08N5ATMA1只有原装现货
IPB015N08N5ATMA1只有原装现货
2023-5-20IPB011N04L G
优势渠道
2023-3-24IPB036N12N3GATMA1
原装正品现货
2022-6-2IPB025N10N3G 原厂原装 正品现货MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
只做原装 支持实单 价格优势 有单必成
2022-5-12IPB025N10N3G 场效应管IC芯片 丝印025N10N TO-263
IPB025N10N3G
2022-4-27IPA80R280P7原装现货
IPA80R280P7原装正品
2021-8-10
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