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IPB019N08N3中文资料

厂家型号

IPB019N08N3

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9

功能描述

OptiMOS3 Power-transistor

MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPB019N08N3数据手册规格书PDF详情

IPB019N08N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB019N08N3

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 8:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO263-7
6471
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
INFINEON/英飞凌
25+
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只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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原装进口公司现货假一赔百