IPB025N10N3G 场效应管IC芯片 丝印025N10N TO-263

时间:2022-4-27 9:50:00

IPB025N10N3G

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 206 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 28 ns

正向跨导 - 最小值: 100 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 58 ns

系列: OptiMOS 3

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

典型关闭延迟时间: 84 ns

典型接通延迟时间: 34 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: SP000469888 IPB25N1N3GXT IPB025N10N3GATMA1

单位重量: 1.600 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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英飞凌英飞凌科技股份公司

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2025-8-14 13:15:00
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