IPB011N04L G

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2023-3-24 15:06:00

企业深圳市科雨电子有限公司

联系人:刘小姐

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地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2418室

优势渠道

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V

Id - C連續漏極電流: 180 A

Rds On - 漏-源電阻: 800 uOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.2 V

Qg - 閘極充電: 346 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 250 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: OptiMOS

系列: OptiMOS 3

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 21 ns

互導 - 最小值: 180 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 13 ns

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS3 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Power MOSFET 40 V, 12 m, 35 A, Single N??hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

Power MOSFET 40 V, 12 m, 35 A, Single N??hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 11 m, 37 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 12 m, 35 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 12 m, 35 A

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2025-12-31 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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