IPB011N04L G

发布企业：深圳市科雨电子有限公司时间：2023-3-24 15:06:00

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优势渠道

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V

Id - C連續漏極電流: 180 A

Rds On - 漏-源電阻: 800 uOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.2 V

Qg - 閘極充電: 346 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 250 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: OptiMOS

系列: OptiMOS 3

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

品牌: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 21 ns

互導 - 最小值: 180 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 13 ns

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
IPB011N04L	OptiMOS3 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB011N04LG	OptiMOS3 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB011N04NG	OptiMOS3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
NTMYS011N04C	Power MOSFET 40 V, 12 m, 35 A, Single N??hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体	ONSEMI
NTMYS011N04CTWG	Power MOSFET 40 V, 12 m, 35 A, Single N??hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体	ONSEMI
NVLJWS011N04CL	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 11 m, 37 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体	ONSEMI
NVMYS011N04C	MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 12 m, 35 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体	ONSEMI
NVMYS011N04CTWG	MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 12 m, 35 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体	ONSEMI

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2026-1-1 10:31:00