制造商 Infineon Technologies
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 211 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13800 pF @ 60 V
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
器件封装 PG-TO263-7
封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)