IPB036N12N3GATMA1

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2022-6-2 10:49:00

企业深圳市科雨电子有限公司

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地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2418室

原装正品现货

制造商 Infineon Technologies

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 120 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270μA

不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 211 nC @ 10 V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13800 pF @ 60 V

功率耗散(最大值) 300W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

器件封装 PG-TO263-7

封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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