OptiMOS3 Power-transistor

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源（例如服务器和通信）以及功耗（例如电动车）领域。 • 优化直流-直流转换器技术\n• 出色的栅极电荷 x R DS(ON) 产品 (FOM)\n• 出色的耐热性\n• 双面冷却\n• 寄生电感低\n• 纤薄外形 (<0.7mm)\n• N通道，正常电平\n• 100% 经过雪崩测试\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n\n\n优势:;

OptiMOS3 Power-transistor

OptiMOS3 Power-transistor

业界领先的功率 MOSFET 技术，适用于电信和服务器应用，采用 OptiMOS ™ 5 80V、D2PAK 7pin 封装

OptiMOS™ 5 80V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型OptiMOS™ 5 80V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• R DS(on)降低高达 44%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

丝印代码：019N08NS；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 80 V，采用 D²PAK 封装

\n优势:\n• Multi-vendor compatibility\n• Right-fit products\n• Supports a wide variety of applications\n• Standard pinout allows for drop-in replacement\n• Increased current carrying capability;

StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

丝印代码：019N08N5；OptiMOS짧 5 Power-Transistor, 80 V

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