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IPB018N06NF2S

StrongIRFETTM2 Power-Transistor

Features • Optimized for wide range of applications • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Infineon

英飞凌

IPB018N06NF2S

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 60 V,采用 D²PAK 封装

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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