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N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

NewOptiMOS??40Vand60V

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

OptiMOSTMPower-Transistor,60V

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,9.8m,51A

Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

60N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
更新时间:2025-7-30 23:00:01
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