IPB010N06N价格

参考价格:¥29.7693

型号:IPB010N06NATMA1 品牌:Infineon Technologies 备注:这里有IPB010N06N多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPB010N06N批发/采购报价,IPB010N06N行情走势销售排行榜,IPB010N06N报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPB010N06N

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Automatic Test Equipment · High-Side Switching

ISC

无锡固电

IPB010N06N

New OptiMOS??40V and 60V

文件:1.02174 Mbytes Page:2 Pages

Infineon

英飞凌

IPB010N06N

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.09827 Mbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

IPB010N06N

N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.09827 Mbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 9.8 m, 51 A

Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.2749 Mbytes Page:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

IPB010N06N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB010N06N

  • 功能描述

    MOSFET 60V TO-263

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-25 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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NA/
8735
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INFINEON
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Infineon(英飞凌)
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NA
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只有原装 可配单

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