IPB010N06N价格

参考价格:¥29.7693

型号:IPB010N06NATMA1 品牌:Infineon Technologies 备注:这里有IPB010N06N多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPB010N06N批发/采购报价,IPB010N06N行情走势销售排行榜,IPB010N06N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPB010N06N

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Automatic Test Equipment · High-Side Switching

ISC

无锡固电

IPB010N06N

New OptiMOS??40V and 60V

文件:1.02174 Mbytes Page:2 Pages

Infineon

英飞凌

IPB010N06N

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.09827 Mbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.09827 Mbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 9.8 m, 51 A

Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

IPB010N06N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB010N06N

  • 功能描述

    MOSFET 60V TO-263

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 9:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
Infineon(英飞凌)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
Infineon(英飞凌)
2405+
PG-TO263-7
50000
只做原装优势现货库存,渠道可追溯
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
INFINEON
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INFINEON/英飞凌
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TO263
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Infineon(英飞凌)
23+
25900
新到现货,只有原装
INFINEON
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO263-7
12700
买原装认准中赛美

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