N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Automatic Test Equipment · High-Side Switching

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。 • 针对同步整流进行优化\n• R DS(on) 比其他器件低 40%\n• 与同类器件相比，品质因数提高了 40%\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲;

New OptiMOS??40V and 60V

文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件：1.09827 Mbytes Page：11 Pages

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件：1.09827 Mbytes Page：11 Pages

MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 9.8 m, 51 A

Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

丝印代码：010N06CL；MOSFET - Power, Single N-Channel 60 V, 9.8 m, 51 A

Features • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

丝印代码：AP65N06DF；60 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.2749 Mbytes Page：5 Pages