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IKD06N60RF价格
参考价格：￥3.5846
型号：IKD06N60RF 品牌：Infineon 备注：这里有IKD06N60RF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKD06N60RF批发/采购报价，IKD06N60RF行情走势销售排行榜，IKD06N60RF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IKD06N60RF | ?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency 文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IKD06N60RF | RC-DriveandRC-DriveFast 文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IKD06N60RF | IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.9381 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.9381 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses 文件：1.96668 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica | FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ |  | | |
PowerfiledEffectTransistor FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |  | | |
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage 文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | |
IKD06N60RF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IKD06N60RF
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-252
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
IGBT PRODUCTS - Tape and Reel
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
|||
INFINEON |
23/22+ |
TO252 |
2000 |
全线可订货.含税开票 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
26000 |
实单请给接受价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-252 |
18411 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-252 |
60000 |
进口原装正品现货热卖 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022 |
TO252 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
TH/韩国太虹 |
2048+ |
TO-252 |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON |
22+ |
TO-252 |
25000 |
原装正品，实单请联系 |
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INFINEON |
23+ |
TO-252 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
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2022-2-19IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路系列：TrenchStop?IGBT类型：沟道电压-集电极发射极击穿（最大）：600VVge，Ic时的最大Vce（开）：2.1V@15V，6A电流-集电极(Ic)（最大）：12A功率-最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
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2019-9-25
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