位置：首页 > IC中文资料第8732页 > HSM180
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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HSM180 | 1 Amp Schottky Rectifier 1 Amp Schottky Rectifier • Schottky Barrier Rectifier • Guard Ring Protection • 175 °C Junction Temperature • VRRM 80 to 100 Volts • Economical Surface Mount Package | MICROSEMI 美高森美 |   | |
HSM180 | 1 Amp Schottky Rectifier 1 Amp Schottky Rectifier • Schottky Barrier Rectifier • Guard Ring Protection • 175 °C Junction Temperature • VRRM 80 to 90 Volts • Economical Surface Mount Package | MICROSEMI 美高森美 | | |
HSM180 | 1 Amp Schottky Rectifier | MICROCHIP 微芯科技 | | |
1 Amp Schottky Rectifier 1 Amp Schottky Rectifier • Schottky Barrier Rectifier • Guard Ring Protection • 175 °C Junction Temperature • VRRM 80 to 100 Volts • Economical Surface Mount Package | MICROSEMI 美高森美 | | ||
1 Amp Schottky Rectifier ● Uderwirters Laboratory Flammability Class 94V-0 ● Schottky Barrier Rectifier ● Guard Ring Protection ● 175°C Junction Temperature ● Surface mount package | MICROSEMI 美高森美 | | ||
封装/外壳：DO-215AA，SMB 鸥翼 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO215AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | MICROCHIP 微芯科技 | | ||
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier | MICROCHIP 微芯科技 | | ||
Si Schottky Rectifier Diodes | MICROCHIP 微芯科技 | | ||
封装/外壳：DO-214BA 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO214BA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | MICROCHIP 微芯科技 | | ||
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor . . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD180 is complementary with BD179 | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS | MOSPEC 统懋 | | ||
Silicon Power Transistor High Power Audio Amplifier Description: The NTE180 (PNP) and NTE181 (NPN) are silicon complementary transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in complementary audio amplifiers to 100 watts music power per channel. Features: • High DC Current Gain: hFE = 25 – 100 @ IC = 7.5A • Excellent | NTE | | ||
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 DESCRIPTION NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance und | NEC 瑞萨 | | ||
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 DESCRIPTION NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance und | NEC 瑞萨 | |
HSM180产品属性
- 类型
描述
- 型号
HSM180
- 制造商
MICROSEMI
- 制造商全称
Microsemi Corporation
- 功能描述
1 Amp Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
20+ |
DO-214AB |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
2019+PB |
DO-214BA |
88000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
新年份 |
DO-214BA |
88000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
Microsemi/美高森美 |
2023+PB |
DO-214BA |
88000 |
||||
Microsemi |
19+ |
DO-214BA |
200000 |
||||
Microsemi |
23+ |
DO-214BA |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
Microchip Technology |
25+ |
DO-215AA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Microsemi |
24+ |
DO-214BA |
88000 |
原装现货假一赔十 |
HSM180规格书下载地址
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2013-1-28
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