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HGTG30N60A价格
参考价格：￥21.9023
型号：HGTG30N60A4 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有HGTG30N60A多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HGTG30N60A批发/采购报价，HGTG30N60A行情走势销售排行榜，HGTG30N60A报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   | |
600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  | | |
600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwith TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderat | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolar | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
N-ChannelIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.6V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·LowConductionLoss APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 75A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 75A 463W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） |  | | |
LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER 文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO | | |
HGTG30N60A产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGTG30N60A
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
23+ |
NA |
6500 |
全新原装假一赔十 |
|||
ON |
2020+ |
TO247 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
原装 |
24+ |
标准 |
51884 |
热卖原装进口 |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO247AC3 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247(AC) |
6000 |
只做原装,假一赔十 |
|||
ON |
22+ |
TO-247 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
ON |
21+ |
TO247 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
|||
FSC |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
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2020-11-25HHM1517 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
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2020-6-23HHC67E-1H-12VDC
HHC67E-1H-12VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-20HHC67E-1H-24VDC
HHC67E-1H-24VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-21
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