HGT1S10N120BNST中文产品资料功能描述

产品属性 属性值

制造商: onsemi

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: SC-70-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.7 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 35 A

Pd-功率耗散: 298 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: HGT1S10N120BNS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

集电极连续电流: 55 A

集电极最大连续电流 Ic: 35 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: IGBT Transistors

子类别: IGBTs

宽度: 9.65 mm

单位重量: 1.312 g