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HGTG18N120BN价格
参考价格：￥23.2872
型号：HGTG18N120BND 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有HGTG18N120BN多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HGTG18N120BN批发/采购报价，HGTG18N120BN行情走势销售排行榜，HGTG18N120BN报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HGTG18N120BN | 54A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG18N120BNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabi | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
HGTG18N120BN | 54A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG18N120BNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabi | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  | |
HGTG18N120BN | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 54A 390W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
54A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG18N120BNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabi | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
54A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG18N120BNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabi | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
54A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG18N120BNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabi | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 1200V 54A 390W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
HGTG18N120BN产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGTG18N120BN
- 功能描述
IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
737 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
|||
Fairchild/ON |
21+ |
TO247 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
FAIRC |
2023+ |
TO-247 |
50000 |
原装现货 |
|||
FAIRC |
2020+ |
TO-247 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO247 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
|||
FAIRCHILD |
1733+ |
TO-247 |
6528 |
只做进口原装正品假一赔十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
T0-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
FAIRCHILD |
1313+ |
TO-247 |
83 |
||||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
9000 |
原装正品 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
37485 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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HGTG18N120BN规格书下载地址
HGTG18N120BN参数引脚图相关
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2020-6-23HHC67E-1H-12VDC
HHC67E-1H-12VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-20HHC67E-1H-24VDC
HHC67E-1H-24VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-21
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