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HGT1S10N120BNS价格

参考价格：￥0.0000

型号：HGT1S10N120BNS 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有HGT1S10N120BNS多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HGT1S10N120BNS批发/采购报价，HGT1S10N120BNS行情走势销售排行榜，HGT1S10N120BNS报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HGT1S10N120BNS

35A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG10N120BN,HGTP10N120BNandHGT1S10N120BNSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S10N120BNS

35A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG10N120BN,HGTP10N120BNandHGT1S10N120BNSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HGT1S10N120BNS

35A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG10N120BN,HGTP10N120BNandHGT1S10N120BNSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S10N120BNS

N-ChannelIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.7V（Max）@IC=10A ·ShortCircuitRating ·LowConductionLoss APPLICATIONS ·ACandDCmotorcontrols ·Powersuppliesanddrivers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
HGT1S10N120BNST

35A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG10N120BN,HGTP10N120BNandHGT1S10N120BNSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGT1S10N120BNS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT1S10N120BNS

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 35A 1200V NPT N-Ch

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

HGT1S10N120BNS供应商更多...

更新时间：2024-6-3 20:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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