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HGT1S10N120BNS中文资料
HGT1S10N120BNS产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGT1S10N120BNS
- 功能描述
IGBT 晶体管 35A 1200V NPT N-Ch
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2024-6-1 16:36:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2024+原装现货 |
TO263 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
50000 |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
onsemi/安森美 |
新批次 |
TO-263AB |
4500 |
||||
FAIRCHILD |
SOT263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
2021+ |
SOT263 |
3580 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
|||
Fairchild仙童 |
23+ |
TO-263AB |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
ON |
22+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装 假一赔十 |
|||
ON |
22+ |
TO-263 |
20000 |
公司100%原装现货,现货众多欢迎加Q咨询 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO263 |
20000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
ON |
21+ |
TO-263 |
1598 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
HGT1S10N120BNST 价格
参考价格：￥9.0744
型号：HGT1S10N120BNST 品牌：Fairchild 备注：这里有HGT1S10N120BNS多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HGT1S10N120BNS批发/采购报价，HGT1S10N120BNS行情走势销售排排榜，HGT1S10N120BNS报价。
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HGT1S10N120BNST中文产品资料
2022-6-6
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- 8536SBH2V06C
- 8536SBH2V08A
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- AM6252ATCGGAALW
- AM6252ATCGHAALW
- BAS521WT
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- MKCP4-900V106KEHI
- MKCP4-900V126KEHI
- MKCP4-900V156KEII
- MKCP4-900V156KFJL
- MKCP4-900V206KFJL
- MKCP4-900V206KGJI
- MKCP4-900V256KGJL
- MKCP4-900V606KHQL
- MKCP4-900V606KMJL
- MKCP4-900V656KJNL
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
