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HGT1S10N120BNST中文资料

厂家型号

HGT1S10N120BNST

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8

功能描述

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V

数据手册

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生产厂商

FAIRCHILD

HGT1S10N120BNST数据手册规格书PDF详情

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor

Features

• 35A, 1200V, TC = 25oC

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Avalanche Rated

• Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER™ Model

www.fairchildsemi.com

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Components to PC Boards

HGT1S10N120BNST产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT1S10N120BNST

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-2 9:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
SOT263
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
FAIRCHILD/仙童
24+
SOT263
3580
原装现货/15年行业经验欢迎询价
FAIRCHILD/仙童
24+
TO263
115
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Fairchild
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FAIRCHILD
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HGT1S10N120BNST 价格

参考价格:¥9.0744

型号:HGT1S10N120BNST 品牌:Fairchild 备注:这里有HGT1S10N120BNST多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,HGT1S10N120BNST批发/采购报价,HGT1S10N120BNST行情走势销售排排榜,HGT1S10N120BNST报价。

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